Вход на сайт

Просмотр новости

Найдите то, что Вас интересует

#фотоцитата 🦉Школа молодых учёных ▫Шилов Лев Борисович, начальник отдела, АО ...

Дата публикации: 23-09-2026 17:19:05

#фотоцитата
🦉Школа молодых учёных
▫Шилов Лев Борисович, начальник отдела, АО «НПП «Исток» им. Шокина»:
«Проведено исследование принципов построения высокотокового электронного регулятора скорости и разработана его аппаратно-программная архитектура на базе отечественного RISC-V микроконтроллера МИК32 «Амур». Создана конструкция на 12S LiPo (до 50,4 В) и постоянный ток до 100 А. ПО разработано с нуля на C/C++ с Assembler-вставками; реализованы PWM и двусторонний DShot600 с передачей телеметрии от регулятора, Soft Start и 6-шаговая бездатчиковая коммутация по BEMF.»
▫Сатина Анастасия Павловна, студент магистр, НИУ ВШЭ (МИЭМ):
«На данный момент архитектура RISC-V является не просто академической архитектурой. Это открытый набор модульных инструкций, вокруг которого формируется большая экосистема разработчиков. Портирование отечественного МК К1921ВГ015 в ОС RIOT показало возможность полноценной работы отечественного RISC-V микроконтроллера в современной IoT-операционной системе.»
▫Везелев Михаил Вячеславович, студент, НИУ ВШЭ (МИЭМ):
«Шлюзы CAN FD-Ethernet – связующее звено между отказоустойчивыми промышленными сетями и магистралью, обслуживающей передачу телеметрии, и от их быстродействия зависит, справится ли система с защищённым обменом в реальном времени. На стенде на отечественном микроконтроллере К1921ВГ1Т было установлено: предел производительности такого шлюза задаёт не скорость Ethernet-канала и не шина CAN FD, а тактовая частота SPI – её подъём с 4,7 до 18,75 МГц втрое сокращает задержку шлюза с 1082 до 345 мкс.»
▫Копытов Павел Евгеньевич, специалист по диагностике эпитаксиальных гетероструктур, ООО «Коннектор Оптикс»:
«В системах квантового распределения ключей приёмник одиночных фотонов (ПОФ) является одним из ключевых элементов, определяющим максимальную дальность и скорость генерации ключа. ПОФ на базе лавинных фотодиодов (ЛФД) обладают сравнительно небольшой стоимостью и достаточно надёжны. Технология одностадийной диффузии цинка из газовой фазы позволила реализовать планарные ЛФД на основе материалов InGaAs/InP, в конструкции которых разделены области поглощения и умножения заряда. Статические характеристики таких ЛФД находятся на уровне ведущих мировых аналогов, что говорит о перспективности разработанной технологии.»
▫Федотов Михаил Игоревич, к.ф.-м.н., научный сотрудник, АО «НИИМЭ»:
«Общепринятая дрейфо-диффузионная модель резистивного переключения не в полной мере описывает параметры резистивного переключения в оксидах переходных металлов. В частности, не учитывается термически активированная диффузия кислорода в процессе Set, который полагается зависимым исключительно от дрейфа кислородных вакансий в электрическом поле. Развитие понимания физических процессов в ячейках резистивной памяти необходимо для практического применения этого перспективного типа универсальной памяти, что требует как интенсивных экспериментальных исследований, так и новых подходов к математическому моделированию.»

Схожие новости

#Наименование новостиТональностьИнформативностьДата публикации
123 проекта НИТУ МИСИС поддержаны грантами Российского научного фонда014.4221-07-2026
2Улучшение считывания спина кремниевых кубитов ускорит масштабирование МОП-чипов 📔Масштабирование кремниевых ...5829-06-2026
3# Скафандр нового поколения: эффективные решения на базе мемристорных, фотонных ...09.9627-08-2026
4Концепция фотонного квантового кабеля с лазерно-индуцированными структурами, функционирующего при сверхнизких ...08.9830-07-2026
5Российские учёные ускорили проектирование отказоустойчивых сетей для микрочипов010.8920-08-2026
6🚀 ТОП-10 изобретений и технологических разработок России в 2026 году ...5804-07-2026
7## Концепт: ИИ-модель «Spectral Memristor Foundry» — спектральные мемристоры из ...09.9618-09-2026
8Российские технологии, новые и возрождение советских Российский технологический сектор сегодня ...07.1723-09-2026
9Молодые ученые КубГУ выиграли 4 гранта РНФ021.4916-07-2026

Классификация: Наука. Схожих патентов: 0. Схожих новостей: 9. Тональность: 0. Информативность: 13.06. Источник: vk.com.