-格子の歪んだ薄膜への高圧印加により二つの超伝導領域を橋渡し-
2026年8月20日
東京大学
理化学研究所
東北大学
-格子の歪んだ薄膜への高圧印加により二つの超伝導領域を橋渡し-
東京大学 大学院工学系研究科の長田 礎 助教、塚﨑 敦 教授、同大学の十倉 好紀 卓越教授(国際高等研究所東京カレッジ)、理化学研究所 創発物性科学研究センターの寺倉 千恵子 上級技師、Jean-Baptiste Morée 研究員、吉川 明子 上級技師、中島 正道 上級研究員、東京大学 大学院新領域創成科学研究科の今城 周作 准教授、東北大学 金属材料研究所のHsiao-Yi Chen 助教、野村 悠祐 教授、東京大学 物性研究所の金道 浩一 教授、同大学 大学院理学系研究科の有田 亮太郎 教授らの研究グループは、常圧で超伝導を示す格子の歪んだ二層ニッケル酸化物薄膜を作製し、強磁場測定と高圧測定を通じて、その超伝導特性を調べました。
本研究では、常圧で約40Kであった超伝導転移温度が、16GPa(ギガパスカル)で最大73Kまで上昇することを明らかにしました。これにより、従来はそれぞれ独立に研究されてきた高圧超伝導と常圧超伝導を、同一の物質系の薄膜試料で初めて実現しました。本成果は、高温超伝導の発現機構の理解と、新たな高温超伝導材料の設計につながることが期待されます。
詳細は東京大学工学部・大学院工学系研究科のホームぺ―ジをご覧ください。
原論文情報報道担当理化学研究所 広報部 報道担当
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