Die EU-Kommission hat die Pläne Deutschlands zur Subventionierung vier verschiedener Halbleiteranlagen in einer Gesamthöhe von 659 Millionen Euro genehmigt. Damit soll die Position Deutschlands und auch der EU in der weltweiten Halbleiter-Wertschöpfungskette gestärkt werden. Gefördert werden Werke der Element 3-5 GmbH, der Vishay Siliconix Itzehoe GmbH, der KLA-Tencor MIE GmbH sowie der KETEK GmbH in Baesweiler in Nordrhein-Westfalen, in Itzehoe in Schleswig-Holstein, im hessischen Weilburg und in München.

Die Förderung ist Teil einer EU-weiten Strategie: Die Europäische Union hat sich zum Ziel gesetzt, die Massenproduktion von Halbleitern zu fördern, um weniger von anderen Ländern abhängig zu sein. Der Weltmarktanteil der EU soll bis 2030 auf 20 Prozent der Produktion gesteigert werden. Anfang 2025 hat die EU dazu 227 Millionen Euro für ein österreichisches Halbleiterwerk genehmigt. Dort werden optische Sensoren, LEDs, Laser (samt LIDAR) und integrierte Schaltkreise (CMOS) hergestellt.

Hochspezialisierte Anlagen und Chips

Im Rahmen des 2023 von EU-Rat und -Parlament verabschiedeten Chips Act darf die deutsche Regierung gemeinsam mit den jeweiligen Landesbehörden vier andere Halbleiterprojekte finanziell unterstützen. Der Großteil von 353 Millionen Euro geht an Element 3-5 SiCnature für eine neuartige Fabrik zur Herstellung von Epiwafern aus Siliziumcarbid („SiC“) in Baesweiler. Mit 214 Millionen Euro wird das Halbleiterwerk von Vishay Siliconix in Itzehoe gefördert, wo Silizium-Leistungs-MOSFETs des n- und p-Typs produziert werden. Diese werden vorrangig in der Automobilindustrie verwendet.

Die mit 74,4 Millionen Euro unterstützte Anlage von KLA in Weilburg dient der Herstellung fortschrittlicher optischer Overlay- und Schicht-Messtechnik, die für Prozesssteuerung und Qualitätssicherung bei der Massenproduktion von Halbleiter-Bauelementen verwendet wird. Keteks Werk in München zur Produktion von hochspezialisierten Chips für industrielle Sortier- und Recyclingsysteme wird mit 17,9 Millionen Euro gefördert. Es geht um Siliziumdriftdetektoren („SDD“) und „Graphene Radiation Entry Windows“ („GREW“).

Wirtschaftsförderung für EU-Halbleiter

„Die heutige Genehmigung der Förderung Deutschlands für vier neue Projekte in der Halbleiter-Wertschöpfungskette zeigt, dass Europa die Ziele des EU-Chip-Gesetzes in die Tat umsetzt“, erklärt Teresa Ribera, Exekutiv-Vizepräsidentin für einen sauberen, fairen und wettbewerbsfähigen Wandel. „Wenn wir Innovationen im Halbleiterbereich unterstützen, stärken wir damit unsere technologische Souveränität und die Wettbewerbsfähigkeit Europas.“

Die Genehmigung dieser Förderungen erfolgte aufgrund der „weitreichenden positiven Auswirkungen auf das europäische Halbleiter-Ökosystem“, die die Versorgungssicherheit in Europa stärken sollen. Gleichzeitig würden die Anlagen den Wettbewerb innerhalb der EU nicht wesentlich beeinträchtigen. Zudem dienten die Subventionen als Anreiz für die Investitionen innerhalb der EU, denn einige der Unternehmen hätten die Anlagen ansonsten anderswo oder gar nicht errichtet.

(fds)